طراحی و شبیه‌سازی مبدل ترنری به باینری بهینه شده بر پایه ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی

این مقاله یک مبدل ترنری به باینری چند‌رقمی بهینه شده مبتنی بر ترانزیستورهای‌اثر‌میدان‌نانو‌لوله‌کربنی ارائه می‌دهد. با توجه به ویژگیهای منحصر بفرد ترانزیستورهای اثر‌میدان‌ نانو ‌لوله‌کربنی همانند امکان طراحی با ولتاژ آستانه­های مختلف برای ترانزیستور، طراحی سیستم­های منطقی چند ارزشی به مراتب ساده­تر و کم هزینه­تر می باشد. لذا با توجه به اینکه سیستم­های پردازشی موجود با مبنای دو کار می­کنند طراحی مبدل­های باینری به ترنری و برعکس، سیستم­های پردازشی بسیار مهم و اساسی است. در این مقاله با اصلاح در بخشی از ساختار مداری مبدل ترنری به باینری سه‌رقمی کارایی سیستم افزایش یافته است. اصلاح مدار باعث کاهش سطح اشغالی تراشه، کاهش توان مصرفی و کاهش تاخیر مدار شده است. عملکرد مناسب و کارایی بهینه مبدل پیشنهادی با استفاده از شبیه‌سازی توسط نرم-افزار HSPICE و بر مبنای ترانزیستورCNTFET 32 نانومتر تأیید شده است. نتایج شبیه سازی نشان می‌دهد که مبدل ترنری به باینری 3 به 5 بهینه دارای توان مصرفی 665/0 و تاخیر انتشار 3/27 پیکو‌ثانیه است. این نتایج نشان می‌دهد به طور کلی شاخص PDP به میزان 4/14درصد بهبود یافته است.