Application of scanning hall probe microscopy technique at room temperature 300k

المساحة الفعالة لنماذج مجس البزموث النفقي وبقياسات تتراوح ما بين um) (0.1-1) وتم تحضيرها على اساس مواد كل من (GaAs) (Si / Sio2) وبسمك (70,60,40) nm بواسطة تقنية شعاع الالكترون (EBL) مع عملية .(lift-off) تم استخدام تقنية المجهر النفقي الماسح (SHPM) عند درجة الحرارة الغرفة لدراسة فولطية المجس النفقي مع خصائص أشكال الضوضاء لأدنى مجالات مغناطسية ممكن كشفه. والنتائج تتمثل لنموذج um 0.4 ووجدت أدنى مجال مغناطيسي (B(MIN)= 1.1 G / HZ 0.5) مع تيار مستمر 5µA. ولكن بالنسبة لنموذج µm0.6 فإن أدنى مجال مغناطيسي بحدود (B(min)= 1.6 G / HZ 0.5) مع تيار مستمر بحدودAµ20. وتم مناقشة تحسن أداء المجس النفقي الماسح عند درجة الحرارة الغرفة. Active areas of bismuth Hall Probe sensors in the range (0.1–1) µm have been fabricated on Si / SiO2 with GaAs substrates at thickness of bismuth from (40, 60 and 70) nm by Electron Beam Lithography (EBL) and lift-off process. Scanning Hall probe microscopy (SHPM) technique at room temperature (300) K used to study Hall voltage, characterization of the noise figures and minimum detectable fields. Results are presented for both 0.4µm sensor, which is found minimum detectable fields (Bmin) 1.1 G / Hz0.5 with dc currents about 5µA. But minimum detectable fields for HP size 0.6 µm at dc currents 20µA is Bmin 0.6 G / Hz0.5. The performance of our Hall probe devices at 300K could be improved still further are discussed