Радіаційностійкий запам’ятовуючий пристрій на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника

Запропоновано структуру комірки пам’яті, в якій як елемент розв’язки, використовується тонкоплівковий польовий транзистор (ТПТ) з бар’єром Шотткі на базі аморфного напівпровідника (АН), а як перемикаючий елемент - плівка халькогенідного склоподібного напівпровідника. Розроблена фізична модель комірки пам’яті. Проведено дослідження залежності параметрів транзистора та комірки пам’яті від дози опромінення потоком нейтронів та – квантів. Показано, що при зміні дози опромінення потоком нейтронів крутість стік-заслінної характеристики (СЗХ) зменшується на 10% при дозах порядку 1015 н/с, в той же час коефіцієнт передачі біполярного n-p-n транзистора зменшується на 20% вже при дозах 1013 н/c, що свідчить про значне підвищення радіаційної стійкості запропонованої комірки пам’яті. При опроміненні – квантами в діапазоні до 2,6 Мрад крутість СЗХ запропонованої структури змінюється лише на 10%. У випадку використання, як елемента розв’язки - ТПТ з ізольованим заслоном, крутість СЗХ зменшується на 50%. Показано, що струм запису інформації запропонованої структури при зміні дози потоку – квантів до 2,6 Мрад змінюється приблизно на 10%, в той же час, у випадку застосування ТПТ з ізольованим заслоном, струм запису інформації змінюється на 50%. Проведене дослідження залежності струму заслону від дози опромінення – квантами. При зміні дози опромінення від 0 до 2,6 Мрад струм заслону змінюється лише на 10%, що свідчить про високу стійкість запропонованої структури до дії проникної радіації.