Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN

Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compu...

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Veröffentlicht in:Tecnología en marcha 2016-11, Vol.13
Hauptverfasser: Angelina Díaz-García, Ana Ester Cabal-Rodríguez, Eugenio Suárez-Caner
Format: Artikel
Sprache:spa
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición.
ISSN:0379-3982
2215-3241