Optical and optoelectric properties in PbCdS ternary thin films deposited by CBD
تم ترسيب غشاء رقيق لمركب (Pbx Cd1-x S) و بتراكيز تتراوح ما بين (0.05 ≤ X ≤ 2.5) باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيماوي و باعتماد الظروف المثلى للحصول على استجابية ضوئية جيدة. قياسات حيود الأشعة السينية أظهرت إن المركب (Pbs-CdS)يشتمل على مستويات (PbS و CdS) المنفردة. أظهرت الأغشية قيمتين لفجوة الطاق...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Engineering and Technology Journal 2010-03, Vol.28 (6), p.1050-1060 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | تم ترسيب غشاء رقيق لمركب (Pbx Cd1-x S) و بتراكيز تتراوح ما بين (0.05 ≤ X ≤ 2.5) باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيماوي و باعتماد الظروف المثلى للحصول على استجابية ضوئية جيدة. قياسات حيود الأشعة السينية أظهرت إن المركب (Pbs-CdS)يشتمل على مستويات (PbS و CdS) المنفردة. أظهرت الأغشية قيمتين لفجوة الطاقة المباشرة (2.4eV) عائدة لكبريتيد الرصاص و الثانية تتغير من (2.4eV) إلى (1.3 eV). سطح الأغشية كان صقيل مع زيادة في الحجم الحبيبي بزيادة الكسر المولي (X). النقصان بقيمة فجوة الطاقة مع زيادة تركيز الرصاص يؤدي إلى تكوين مركب من (CdS) و (PbS).
PbxCd1-xS films have been prepared in the composition range of 0.05£ x£0.25 by using a chemical bath deposition growth technique under optimum conditions to deposit good photo response. X-ray diffraction study results show that the films are of PbS-CdS composite with individual CdS and PbS planes. The films exhibited two direct band gaps, 2.4 eV belongs to CdS, and the second varies continuously from 2.4eV to 1.3eV. The surface morphology of the films is smooth with crystallite of increasing grain size with increasing the mole fraction (x). The decrease in the band gap with increase in lead concentration suggests that the
Composite of PbS (Eg = 0.41eV) with CdS (Eg =2.4Ev). |
---|---|
ISSN: | 1681-6900 2412-0758 2412-0758 |
DOI: | 10.30684/etj.28.6.2 |