Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular

Medidas de fotoluminescência (PL) em função da temperatura e da potência de excitação foram realizadas em uma amostra contendo uma camada de In0,53Ga0,47As crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular-MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP. As origens dos vários processos de luminescência observados à baixa temperatura foram determinados estudando seus diferentes comportamentos com o aumento da temperatura e da potência de excitação e comparando os resultados com os dados encontrados na literatura. Foram identificadas: uma transição envolvendo éxcitons localizados e duas transições envolvendo impurezas aceitadoras. Uma revisão dos principais trabalhos publicados na literatura relacionados às transições ópticas observadas à baixa temperatura no InGaAs/InP também é apresentada.