SAF-uFM synaptic device with multiple pinning regions

Consecutive domain wall depinning at uFM-SAF-type synaptic device with multiple uFM and FM regions. The applied current density is 1.6x1012 A/m2.

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Chan, JianPeng
Format:	Bild
Sprache:	eng
Schlagworte:	Soft condensed matter
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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