SAF-uFM synaptic device with multiple pinning regions

SAF-uFM synaptic device with multiple pinning regions

Consecutive domain wall depinning at uFM-SAF-type synaptic device with multiple uFM and FM regions. The applied current density is 1.6x1012 A/m2.

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Chan, JianPeng
Format: Bild
Sprache:eng
Schlagworte:
Soft condensed matter
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Beschreibung
Zusammenfassung:Consecutive domain wall depinning at uFM-SAF-type synaptic device with multiple uFM and FM regions. The applied current density is 1.6x1012 A/m2.
DOI:10.6084/m9.figshare.26112535