Subthreshold characteristics analysis and modeling of fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs with high- k SiO 2 stacked gate structure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2018-09, Vol.57 (9), p.94201
Hauptverfasser:	Ke, Dao-ming, Wu, Di, Meng, Jian, Yang, Fei, Wan, Lu-xu, Yang, Jian-guo, Chang, Hong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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