Highly selective SiO 2 etching over Si 3 N 4 using a cyclic process with BCl 3 and fluorocarbon gas chemistries
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Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2018-06, Vol.57 (6S2), p.6 |
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Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0021-4922 1347-4065 |
DOI: | 10.7567/JJAP.57.06JB01 |