Hf layer thickness dependence of resistive switching characteristics of Ti/Hf/HfO 2 /Au resistive random access memory device

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2018-06, Vol.57 (6S1), p.6
Hauptverfasser:	Nakajima, Ryo, Azuma, Atsushi, Yoshida, Hayato, Shimizu, Tomohiro, Ito, Takeshi, Shingubara, Shoso
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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