Spectroscopic evidence of photogenerated carrier separation by built-in electric field in Sb-doped n-BaSi 2 /B-doped p-BaSi 2 homojunction diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2018-05, Vol.57 (5), p.50310
Hauptverfasser: Kodama, Komomo, Takabe, Ryota, Deng, Tianguo, Toko, Kaoru, Suemasu, Takashi
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.7567/JJAP.57.050310