Current linearity and operation stability in Al 2 O 3 -gate AlGaN/GaN MOS high electron mobility transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2017-10, Vol.56 (10), p.101001
Hauptverfasser:	Nishiguchi, Kenya, Kaneki, Syota, Ozaki, Shiro, Hashizume, Tamotsu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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