Carrier transportation properties and series resistance of n-type β-FeSi 2 /p-type Si heterojunctions fabricated by RF magnetron sputtering

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2017-06, Vol.56 (6S2), p.6
Hauptverfasser:	Nopparuchikun, Adison, Promros, Nathaporn, Teakchaicum, Sakmongkon, Onsee, Peeradon, Duangrawa, Asanlaya, Sittimart, Phongsaphak
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!