Effect of plasma dissociation on fluorocarbon layers formed under C 4 F 8 /Ar pulsed plasma for SiO 2 etching

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2017-06, Vol.56 (6S2), p.6
Hauptverfasser:	Matsui, Miyako, Usui, Tatehito, Ono, Tetsuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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