$Evaluation of Schottky barrier height on 4H-SiC m -face $\{ 1\bar{1}00\} $ for Schottky barrier diode wall integrated trench MOSFET$

Evaluation of Schottky barrier height on 4H-SiC m -face $\{ 1\bar{1}00\} $ for Schottky barrier diode wall integrated trench MOSFET

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2017-04, Vol.56 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Kobayashi, Yusuke, Ishimori, Hiroshi, Kinoshita, Akimasa, Kojima, Takahito, Takei, Manabu, Kimura, Hiroshi, Harada, Shinsuke
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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