Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO 2 /Al 2 O 3 /InGaAs gate stacks

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2017-04, Vol.56 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Ohsawa, Kazuto, Netsu, Seiko, Kise, Nobukazu, Noguchi, Shinji, Miyamoto, Yasuyuki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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