Determination of the type of stacking faults in single-crystal high-purity diamond with a low dislocation density of <50 cm−2 by synchrotron X-ray topography

The properties of stacking faults in a single-crystal high-purity diamond with a very low dislocation density of

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2016-04, Vol.55 (4), p.40303
Hauptverfasser: Masuya, Satoshi, Hanada, Kenji, Uematsu, Takumi, Moribayashi, Tomoya, Sumiya, Hitoshi, Kasu, Makoto
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:The properties of stacking faults in a single-crystal high-purity diamond with a very low dislocation density of
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.7567/JJAP.55.040303