Effects of final annealing in oxygen on characteristics of BaTiO 3 thin films for resistance random access memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2015-10, Vol.54 (10S), p.10
Hauptverfasser:	Hashimoto, Shuhei, Sugie, Toshiyuki, Zhang, Ziyang, Yamashita, Kaoru, Noda, Minoru
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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