Suppression of plasma-induced damage on GaN etched by a Cl 2 plasma at high temperatures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2015-06, Vol.54 (6S2), p.6
Hauptverfasser: Liu, Zecheng, Pan, Jialin, Kako, Takashi, Ishikawa, Kenji, Takeda, Keigo, Kondo, Hiroki, Oda, Osamu, Sekine, Makoto, Hori, Masaru
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.7567/JJAP.54.06GB04