Impact of inserted Ta ultrathin layer and postdeposition annealing on the forming voltage of Ir/Ti/Ta/HfO 2 /TiN/Ti/SiO 2 /Si resistive switching devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2015-04, Vol.54 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Asanuma, Shutaro, Shima, Hisashi, Yamazaki, Masashi, Hayama, Kazumi, Hata, Nobuhiro, Akinaga, Hiroyuki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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