A 4F 2 -cross-point phase change memory using nano-crystalline doped GeSbTe material

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2015-04, Vol.54 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Takaura, Norikatsu, Kinoshita, Masaharu, Tai, Mitsuharu, Ohyanagi, Takasumi, Akita, Kenichi, Morikawa, Takahiro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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