Highly strained channel with low-resistivity carbon-doped source/drain formed by cascade C 7 H x implantation followed by rapid solid-phase epitaxy and laser annealing for n-channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistor

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2015-03, Vol.54 (3), p.36503
Hauptverfasser:	Yamaguchi, Tadashi, Kawasaki, Yoji, Yamashita, Tomohiro, Nishida, Yukio, Mizuo, Mariko, Maekawa, Kazuyoshi, Fujisawa, Masahiko
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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