Characterization of a -plane InGaN light-emitting diodes with a SiN x interlayer grown on a patterned sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2014-11, Vol.53 (11), p.111001
Hauptverfasser:	Yoo, Geunho, Min, Daehong, Lee, Kyseung, Jang, Jongjin, Moon, Seunghwan, Chae, Sooryong, Kim, Jaehwan, Nam, Okhyun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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