Resistive switching characteristics of Pt/CeO x /TiN memory device

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2014-06, Vol.53 (6), p.60303
Hauptverfasser:	Ismail, Muhammad, Talib, Ijaz, Huang, Chun-Yang, Hung, Chung-Jung, Tsai, Tsung-Ling, Jieng, Jheng-Hong, Chand, Umesh, Lin, Chun-An, Ahmed, Ejaz, Rana, Anwar Manzoor, Nadeem, Muhammad Younus, Tseng, Tseung-Yuen
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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