Nonvolatile Power-Gating Field-Programmable Gate Array Using Nonvolatile Static Random Access Memory and Nonvolatile Flip-Flops Based on Pseudo-Spin-Transistor Architecture with Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junctions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-11, Vol.51 (11S), p.11
Hauptverfasser:	Yamamoto, Shuu'ichirou, Shuto, Yusuke, Sugahara, Satoshi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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