Vacancy-Type Defects Introduced by Gas Cluster Ion-Implantation on Si Studied by Monoenergetic Positron Beams

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-11, Vol.51 (11R), p.111801
Hauptverfasser:	Uedono, Akira, Moriya, Tsuyoshi, Tsutsui, Takuro, Kimura, Shogo, Oshima, Nagayasu, Suzuki, Ryoichi, Ishibashi, Shoji, Matsui, Hidefumi, Narushima, Masaki, Ishikawa, Yoichi, Graf, Michael, Yamashita, Koji
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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