Improving Mobility of F-Doped SnO 2 Thin Films by Introducing Temperature Gradient during Low-Pressure Chemical Vapor Deposition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-09, Vol.51 (9R), p.95801
Hauptverfasser:	Isshiki, Masanobu, Ikeda, Toru, Okubo, Junichi, Oyama, Takuji, Shidoji, Eiji, Odaka, Hidefumi, Sichanugrist, Porponth, Konagai, Makoto
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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