Effects of Low Temperature Electronic Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma Treatment and Annealing on the Electrical Properties of Ti and Ni Contacts to 4H-SiC

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-08, Vol.51 (8R), p.81302
Hauptverfasser:	Huang, Lingqin, Zhu, Qiaozhi, Gao, Mingchao, Qin, Fuwen, Wang, Dejun
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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