Variation of Threshold Voltage and ON-Cell Current Caused by Cell Gate Length Fluctuation in Virtual Source/Drain NAND Flash Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-07, Vol.51 (7R), p.74301
Hauptverfasser:	Kim, Wandong, Kim, Yoon, Park, Se Hwan, Seo, Joo Yun, Kim, Do Bin, Park, Byung-Gook
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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