Oxygen Vacancy Chain Formation in TiO 2 under External Strain for Resistive Switching Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-06, Vol.51 (6S), p.6
Hauptverfasser:	Yoo, Dong Su, Ahn, Kiyong, Cho, Sung Beom, Lee, Minho, Chung, Yong-Chae
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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