Experimental Study of Floating-Gate-Type Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors with Nanosize Triangular Cross-Sectional Tunnel Areas for Low Operating Voltage Flash Memory Application

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-06, Vol.51 (6S), p.6
Hauptverfasser:	Liu, Yongxun, Guo, Ruofeng, Kamei, Takahiro, Matsukawa, Takashi, Endo, Kazuhiko, O'uchi, Shinichi, Tsukada, Junichi, Yamauchi, Hiromi, Ishikawa, Yuki, Hayashida, Tetsuro, Sakamoto, Kunihiro, Ogura, Atsushi, Masahara, Meishoku
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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