Design Guideline of Si-Based L-Shaped Tunneling Field-Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-06, Vol.51 (6S), p.6
Hauptverfasser:	Kim, Sang Wan, Choi, Woo Young, Sun, Min-Chul, Kim, Hyun Woo, Park, Byung-Gook
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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