Carbon Nanotube-Based Floating Gate Memories with High- k Dielectrics

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-06, Vol.51 (6S), p.6
Hauptverfasser:	Fujii, Yusuke, Ohori, Takahiro, Ohno, Yasuhide, Maehashi, Kenzo, Inoue, Koichi, Matsumoto, Kazuhiko
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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