Effect of Oxidation Amount on Gradual Switching Behavior in Reset Transition of Al/TiO 2 -Based Resistive Switching Memory and Its Mechanism for Multilevel Cell Operation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-04, Vol.51 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Oh, Jeong-Hoon, Ryoo, Kyung-Chang, Jung, Sunghun, Park, Yongjik, Park, Byung-Gook
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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