Oxidation of Silicon Utilizing a Microwave Plasma System: Electric-Stress Hardening of SiO 2 Films by Controlling the Surface and Interface Roughness

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-04, Vol.51 (4R), p.41104
Hauptverfasser:	Kabe, Yoshiro, Hasunuma, Ryu, Yamabe, Kikuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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