Effect of Channel Length on the Reliability of Amorphous Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin Film Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-03, Vol.51 (3S), p.3
Hauptverfasser:	Lee, Soo-Yeon, Kim, Sun-Jae, Lee, Young Wook, Lee, Woo-Geun, Yoon, Kap-Soo, Han, Min-Koo
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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