Characterization of In 20 Ge 15 Sb 10 Te 55 Phase Change Material for Phase Change Memory with Low Power Operation and Good Data Retention

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-03, Vol.51 (3R), p.31201
Hauptverfasser:	Morikawa, Takahiro, Kurotsuchi, Kenzo, Fujisaki, Yoshihisa, Matsui, Yuichi, Takaura, Norikatsu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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