Design of a Nine-Transistor/Two-Magnetic-Tunnel-Junction-Cell-Based Low-Energy Nonvolatile Ternary Content-Addressable Memory

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-02, Vol.51 (2S), p.2
Hauptverfasser:	Matsunaga, Shoun, Katsumata, Akira, Natsui, Masanori, Endoh, Tetsuo, Ohno, Hideo, Hanyu, Takahiro
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!