A Subthreshold Current Model of Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors with Vertical Gaussian Profile

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-02, Vol.51 (2R), p.24301
Hauptverfasser:	Zhang, Guohe, Chen, Kebin, Liang, Feng
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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