Evaluation of Misfit Relaxation in α-Ga 2 O 3 Epitaxial Growth on α-Al 2 O 3 Substrate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2012-02, Vol.51 (2R), p.20201
Hauptverfasser:	Kaneko, Kentaro, Kawanowa, Hitoshi, Ito, Hiroshi, Fujita, Shizuo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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