Self-Aligned Top-Gate Oxide Thin-Film Transistor Formed by Aluminum Reaction Method

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-09, Vol.50 (9R), p.96502
Hauptverfasser:	Morosawa, Narihiro, Ohshima, Yoshihiro, Morooka, Mitsuo, Arai, Toshiaki, Sasaoka, Tatsuya
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!