The Effect of Carrier Injection Stress on Boron-Doped Amorphous Silicon Suboxide Layers Investigated by X-ray Photoelectron Spectroscopy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-09, Vol.50 (9R), p.95801
Hauptverfasser:	Lee, Sunhwa, Park, Seungman, Park, Jinjoo, Kim, Youngkuk, Yoon, Kichan, Shin, Chonghoon, Baek, Seungsin, Kim, Joondong, Lee, Youn-Jung, Yi, Junsin
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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