Study of Initial Growth Layer of GaSb on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-08, Vol.50 (8S3), p.8
Hauptverfasser:	Hara, Shinsuke, Fuse, Kazuhiro, Machida, Ryuto, Yagishita, Kazuki, Irokawa, Katsumi, Miki, Hirofumi, Kawazu, Akira, Fujishiro, Hiroki I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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