Patterning of 25 nm Contact Holes at 90 nm Pitch: Combination of Line/Space Double Exposure Immersion Lithography and Plasma-Assisted Shrink Technology

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-08, Vol.50 (8S1), p.8
Hauptverfasser:	Marneffe, Jean-François de, Lazzarino, Frédéric, Goossens, Danny, Vandervorst, Alain, Richard, Olivier, Shamiryan, Denis, Xu, Kaidong, Truffert, Vincent, Boullart, Werner
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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