Improved Output Power of GaN-Based Vertical Light Emitting Diodes Fabricated with Current Blocking Region Formed by O 2 Plasma Treatment

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-07, Vol.50 (7R), p.76504
Hauptverfasser:	Lee, Sang Youl, Choi, Kwang Ki, Jeong, Hwan Hee, Kim, Eun Joo, Son, Hyo Kun, Son, Sung Jin, Song, June O, Seong, Tae-Yeon
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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