Dynamic Driving Current Using Side Gate Bias of Single-Electron Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-07, Vol.50 (7R), p.74101
Hauptverfasser:	Lee, Joung-Eob, Kim, Garam, Kim, Kyung-Wan, Lee, Jung-Han, Kang, Kwon-Chil, Lee, Jong-Ho, Shin, Hyungcheol, Park, Byung-Gook
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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