Electrical and Photoconductive Properties at 1.8 K of Germanium p + –i Junction Device Fabricated by Surface-Activated Wafer Bonding

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-06, Vol.50 (6R), p.66503
Hauptverfasser:	Kaneda, Hidehiro, Wada, Takehiko, Oyabu, Shinki, Kano, Ryoko, Kiriyama, Yuichi, Hattori, Yasuki, Suzuki, Toyoaki, Ide, Kensuke, Kato, Masahiro, Watanabe, Kentaroh
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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