Electrical Characteristics of Low-Temperature Polycrystalline Silicon Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Thin-Film Transistors with Six-Step Photomask Structure
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Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2011-06, Vol.50 (6R), p.61401 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0021-4922 1347-4065 |
DOI: | 10.7567/JJAP.50.061401 |