Effects of Concentration of Nanoscale Tin-Doped Indium Oxide on Electrical Breakdown of High-Resistance Liquid Crystal

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-05, Vol.50 (5R), p.55002
Hauptverfasser:	Liang, Bau-Jy, Liu, Don-Gey, Chang, Chih-Yuan, Shie, Wun-Yi
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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